Yazar "Gülen, Mahir" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Investigation of dye sensitized solar cells fabricated by spray pyrolysis
    (Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 2012) Gülen, Mahir; Varilci, Ahmet
    Bu tezde, sprey püskürtme metodu yardımı ile üretilen boyayla hassaslaştırılan güneş pilinin verimini ve maksimum gününü 0?0.7 Volt aralığında inceledik. Pilin üretimi 3 kısımdan oluşur. (I) DC manyetron duyarlı püskürtme tekniği ile 100 vatta ITO seramik (In2O3:SnO2, 90:10 wt%) hedef kullanılarak soda camının üstüne indiyum kalay oksit (ITO) ince filmin kaplanması oda sıcaklığında, argon atmosferinde gerçekleştirildi. Sonra, hazırlanan ITO film farklı sıcaklık ve sürede tavlandı ve en iyi tavlama ortamının 400 °C de 2 saat olarak gözlemlendi. Üretilen film X-ray difraktometre, görünür bölge ve mor ötesi spektroskopisi ve atomik kuvvet mikroskobu incelemeleri vasıtasıyla analiz edildi. (II) TiO2 film üretimi için en iyi tavlama ortamı belirlendikten sonra, titanyum dioksit film soda camın ITO yüzeyi üzerine sprey püskürtme metodu kullanılarak kaplandı. TiO2 film karakterizesi için Taramalı elektron mikroskobu (SEM), X?ray difraktometre (XRD), atomik kuvvet mikroskobu (AFM), görünür bölge ve mor ötesi spektroskopi (Uv-Vis) ölçümleri yapıldı. (III) Soda camının ITO yüzeyi üzerine Platin (Pt) tabaka kaplaması DC püskürtme tekniği ile 100 vatta % 90 Pt içeren hedef kullanılarak oda sıcaklığında, argon atmosferinde yapıldı. Bu sandviç sistem, iodide/tri-iodide ( ) adı verilen sıvı elektrolit ile dolduruldu. Platin tabaka elektron rejenerasyonu için kataliz olarak kullanıldı. Ek olarak, hazırlanan DSSC pilinin akım-voltaj ölçümü 1kW/m2 ışık altında ve 4cm2 aktif alanda gerçekleştirildi. Verim ve maksimum güç doluluk faktöründen belirlendi. Sonuçlar gösteriyor ki verim % 5.05 civarında bulunurken maksimum güç 20.1mW olarak gözlemlendi. Elde edilen sonuçlara göre, boyayla hassaslaştırılmış güneş pili alternatif enerji kaynağı olarak kullanılabilir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Morphological, microstructural and electrical examinations on ZnO film on p-Si wafer
    (Springer, 2012) Gökçen, Muharrem; Bal, Sevgi; Yıldırım, Gürcan; Gülen, Mahir; Varilci, Ahmet
    This study reports not only main electrical and dielectric characteristics of Ag/ZnO/p-Si heterostructure with the aid of the experimental admittance measurements at room temperature and theoretical approaches but also the microstructure and surface morphology of the heterostructure by means of X-ray diffraction, scanning electron microscopy and atomic force microscopy measurements. The results obtained show that the sample, obtaining Wurtzite structure with the (002) preferred orientation, has a fine crystalline microstructure consisting of micro-sized hexagonal rods growing uniformly in large scale on the film surface. When the diameters of the rods are found to vary from 0.5 mu m to 1.5 mu m, thickness values are observed to be about 2 mu m. Further, series resistance (R-s) and some other electronic parameters of the heterostructure are obtained by the capacitance-voltage (C-V), conductance-voltage (G-V) and C-2-V measurements. Moreover, voltage (V) and frequency (f) dependence of dielectric parameters such as dielectric constant (epsilon'), dielectric loss (epsilon aEuro(3)), dielectric loss tangent (tan delta), real and imaginary parts of electric modulus (IeaEuro(2) and IeaEuro(3)) are determined and discussed. It is found that both electrical and dielectric parameters of the heterostructure prepared in this work depend strongly on the applied bias voltage and frequency.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Role of annealing temperature on microstructural and electro-optical properties of ITO films produced by sputtering
    (Springer, 2013) Gülen, Mahir; Yıldırım, Gürcan; Bal, S.; Varilci, Ahmet; Belenli, İbrahim; Öz, Muhammed
    This study probes the effect of annealing temperature on electrical, optical and microstructural properties of indium tin oxide (ITO) films deposited onto soda lime glass substrates by conventional direct current (DC) magnetron reactive sputtering technique at 100 watt using an ITO ceramic target (In2O3:SnO2, 90:10 wt%) in argon atmosphere at room temperature. The films obtained are exposed to the calcination process at different temperature up to 700 A degrees C. X-ray diffractometer (XRD), ultra violet-visible spectrometer (UV-vis) and atomic force microscopy (AFM) measurements are performed to characterize the samples. Moreover, phase purity, surface morphology, optical and photocatalytic properties of the films are compared with each other. The results obtained show that all the properties depend strongly on the annealing temperature. XRD results indicate that all the samples produced contain the In2O3 phase only and exhibit the polycrystalline and cubic bixbite structure with more intensity of diffraction lines with increasing the annealing temperature until 400 A degrees C; in fact the strongest intensity of (222) peak is obtained for the sample annealed at 400 A degrees C, meaning that the sample has the greatest ratio I (222)/I (400) and the maximum grain size (54 nm). As for the AFM results, the sample prepared at 400 A degrees C has the best microstructure with the lower surface roughness. Additionally, the transmittance measurements illustrate that the amplitude of interference oscillation is in the range from 78 (for the film annealed at 400 A degrees C) to 93 % (for the film annealed at 100 A degrees C). The refractive index, packing density, porosity and optical band gap of the ITO thin films are also evaluated from the transmittance spectra. According to the results, the film annealed at 400 A degrees C obtains the better optical properties due to the high refractive index while the film produced at 100 A degrees C exhibits much better photoactivity than the other films as a result of the large optical energy band gap.