Yilmaz, Ercan AltuğKaraçali, HüseyinKaragöz, NurettinAktağ, AliekberKahraman, Ayşegül SağirYeğen, Dinçer2024-09-252024-09-252018https://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/620947https://hdl.handle.net/20.500.12491/1434401.09.2018Bu projede yerli yığın yapılı radyasyona duyarlı alan etkili transistörler (Yığın-NürFET) üretilerek ışınlama öncesi ve sonrası elektriksel karakteristikleri değerlendirilmiştir. Çalışmada dozimetrenin duyar bölgesi olan SiO2 tabakası üç farklı kalınlıkta (100 nm, 400 nm ve 1 ?m) büyütülmüştür. Yığın NürFET maskeleri, istenilen sayıdaki sensörün elektriksel karakteristiğe katkısı yansıtılacak şekilde tasarlanmıştır. Transistör üretiminde litografi aşamalarında kullanılan SiO2 alan oksit tabakası ve sensörün duyar bölgesi yaş ve kuru oksidasyon yöntemleriyle difüzyon fırınlarında büyütülmüştür. Sensörün arka kontağının alınacağı n+ bölgesi POCl3, p+ bölgeleri ise BBr3 deposizyonu ile oluşturulmuştur. Yığın NürFET?in metal kontakları ise RF magnetron saçtırma sistemi kullanılarak büyütülen alüminyum ile sağlanmıştır. Alt taş üzerine üretilen yığın NürFET?lerin her biri kesme makinasında birbirinden ayrılarak tel bağlama cihazı (wire bonder) ile elektronik entegre paketi içerisine yerleştirilmiştir. Her üç kapı oksit tabaka kalınlığı için de yığın yapıda artan NürFET sayısıyla orantılı olacak şekilde başlangıç eşik gerilimi (V_th) daha büyük negatif voltaj değerlerine kaymıştır. Yığın NürFET?ler öncelikle Orta Doğu Teknik Üniversitesi Kimya Bölümü?ndeki GAMMACELL 220 60Co radyoaktif kaynağı altında ışınlanmıştır. 100 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin 48 Gy için 60Co duyarlılıkları 17.17±052 mV/Gy (2-NurFET), 18.56±0.54 mV/Gy (4-NurFET), 20.42±0.62 mV/Gy (8-NurFET), 21.04±0.65 mV/Gy (12-NurFET) olarak belirlenmiştir. 400 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?ler için 48 Gy?de hassasiyet değerleri, 30.81±1.26 mV/Gy (2-NürFET), 39.10±1.71 mV/Gy (4-NürFET) ve 49.79±2.54 mV/Gy?dir (8- NürFET). 1 ?m kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin duyarlılıkları 42.12±0.72 mV/Gy (2- NürFET), 50.30±2.08 mV/Gy (4-NürFET) ve 57.47±2.36 mV/Gy (6-NürFET) olarak ölçülmüştür. Yığın NürFET?lerin X-ışını altındaki davranışları ise T.C. Sağlık Bakanlığı Sağlık Bilimleri Üniversitesi Ankara Dr. Abdurrahman Yurtaslan Onkoloji Sağlık Uygulama ve Araştırma Merkezi?ndeki Varian Medical Systems Triology (Rapid Arc) Lineer Hızlandırıcısı ile incelenmiştir. TRS-398 protokolüne göre katı fantom içerisinde d=10 cm derinliğe yerleştirilen sensörler 6 MV?lik X-ışınları ile ışınlanmış ve ardıdan dozimetrelerin performansları değerlendirilmiştir. 100 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin 20 Gy için 6 MV X-ışını duyarlılıkları 16.63±0.67 mV/Gy (2-NurFET), 22.06±0.91mV/Gy (4-NurFET), 24.43±1.06 mV/Gy (8-NurFET), 33.16±1.34mV/Gy (12-NurFET) olarak belirlenmiştir. 400 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?ler için 20 Gy?de hassasiyet değerleri, 72.79±2.91mV/Gy (2-NürFET), 87.77±3.47mV/Gy (4-NürFET) ve 98.32±3.68 mV/Gy?dir (8-NürFET). 1 ?m kapı oksit tabakalaı yığın NürFET?lerin duyarlılıkları 75.11±3.01 mV/Gy (2-NürFET), 85.03±3.40 mV/Gy (4-NürFET) ve 90.13±4.01mV/Gy (6-NürFET) olarak ölçülmüştür.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessRadyasyon sensörleri?nürfetradfetmosfetyığın nürfetProject168620947