Ulusal Yeni NürFET-Yığın NürFET Teknoloji Tabanlı Nükleer Radyasyon Sensörlerinin Üretilmesi ve Geliştirilmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorYilmaz, Ercan Altuğ
dc.contributor.authorKaraçali, Hüseyin
dc.contributor.authorKaragöz, Nurettin
dc.contributor.authorAktağ, Aliekber
dc.contributor.authorKahraman, Ayşegül Sağir
dc.contributor.authorYeğen, Dinçer
dc.date.accessioned2024-09-25T20:11:03Z
dc.date.available2024-09-25T20:11:03Z
dc.date.issued2018
dc.departmentAbant İzzet Baysal Üniversitesien_US
dc.description01.09.2018en_US
dc.description.abstractBu projede yerli yığın yapılı radyasyona duyarlı alan etkili transistörler (Yığın-NürFET) üretilerek ışınlama öncesi ve sonrası elektriksel karakteristikleri değerlendirilmiştir. Çalışmada dozimetrenin duyar bölgesi olan SiO2 tabakası üç farklı kalınlıkta (100 nm, 400 nm ve 1 ?m) büyütülmüştür. Yığın NürFET maskeleri, istenilen sayıdaki sensörün elektriksel karakteristiğe katkısı yansıtılacak şekilde tasarlanmıştır. Transistör üretiminde litografi aşamalarında kullanılan SiO2 alan oksit tabakası ve sensörün duyar bölgesi yaş ve kuru oksidasyon yöntemleriyle difüzyon fırınlarında büyütülmüştür. Sensörün arka kontağının alınacağı n+ bölgesi POCl3, p+ bölgeleri ise BBr3 deposizyonu ile oluşturulmuştur. Yığın NürFET?in metal kontakları ise RF magnetron saçtırma sistemi kullanılarak büyütülen alüminyum ile sağlanmıştır. Alt taş üzerine üretilen yığın NürFET?lerin her biri kesme makinasında birbirinden ayrılarak tel bağlama cihazı (wire bonder) ile elektronik entegre paketi içerisine yerleştirilmiştir. Her üç kapı oksit tabaka kalınlığı için de yığın yapıda artan NürFET sayısıyla orantılı olacak şekilde başlangıç eşik gerilimi (V_th) daha büyük negatif voltaj değerlerine kaymıştır. Yığın NürFET?ler öncelikle Orta Doğu Teknik Üniversitesi Kimya Bölümü?ndeki GAMMACELL 220 60Co radyoaktif kaynağı altında ışınlanmıştır. 100 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin 48 Gy için 60Co duyarlılıkları 17.17±052 mV/Gy (2-NurFET), 18.56±0.54 mV/Gy (4-NurFET), 20.42±0.62 mV/Gy (8-NurFET), 21.04±0.65 mV/Gy (12-NurFET) olarak belirlenmiştir. 400 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?ler için 48 Gy?de hassasiyet değerleri, 30.81±1.26 mV/Gy (2-NürFET), 39.10±1.71 mV/Gy (4-NürFET) ve 49.79±2.54 mV/Gy?dir (8- NürFET). 1 ?m kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin duyarlılıkları 42.12±0.72 mV/Gy (2- NürFET), 50.30±2.08 mV/Gy (4-NürFET) ve 57.47±2.36 mV/Gy (6-NürFET) olarak ölçülmüştür. Yığın NürFET?lerin X-ışını altındaki davranışları ise T.C. Sağlık Bakanlığı Sağlık Bilimleri Üniversitesi Ankara Dr. Abdurrahman Yurtaslan Onkoloji Sağlık Uygulama ve Araştırma Merkezi?ndeki Varian Medical Systems Triology (Rapid Arc) Lineer Hızlandırıcısı ile incelenmiştir. TRS-398 protokolüne göre katı fantom içerisinde d=10 cm derinliğe yerleştirilen sensörler 6 MV?lik X-ışınları ile ışınlanmış ve ardıdan dozimetrelerin performansları değerlendirilmiştir. 100 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?lerin 20 Gy için 6 MV X-ışını duyarlılıkları 16.63±0.67 mV/Gy (2-NurFET), 22.06±0.91mV/Gy (4-NurFET), 24.43±1.06 mV/Gy (8-NurFET), 33.16±1.34mV/Gy (12-NurFET) olarak belirlenmiştir. 400 nm kapı oksit tabakalı yığın NürFET?ler için 20 Gy?de hassasiyet değerleri, 72.79±2.91mV/Gy (2-NürFET), 87.77±3.47mV/Gy (4-NürFET) ve 98.32±3.68 mV/Gy?dir (8-NürFET). 1 ?m kapı oksit tabakalaı yığın NürFET?lerin duyarlılıkları 75.11±3.01 mV/Gy (2-NürFET), 85.03±3.40 mV/Gy (4-NürFET) ve 90.13±4.01mV/Gy (6-NürFET) olarak ölçülmüştür.en_US
dc.identifier.endpage68en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.trdizinid620947en_US
dc.identifier.urihttps://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/620947
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12491/14344
dc.indekslendigikaynakTR-Dizinen_US
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryProjeen_US
dc.relation.tubitakinfo:eu-repo/grantAgreement/TUBITAK/EEEAG/1,16e+202en_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzYK_20240925en_US
dc.subjectRadyasyon sensörleri?en_US
dc.subjectnürfeten_US
dc.subjectradfeten_US
dc.subjectmosfeten_US
dc.subjectyığın nürfeten_US
dc.titleUlusal Yeni NürFET-Yığın NürFET Teknoloji Tabanlı Nükleer Radyasyon Sensörlerinin Üretilmesi ve Geliştirilmesien_US
dc.typeProjecten_US

Dosyalar

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu