Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid0000-0002-1836-7033
dc.authorid0000-0002-6652-4662
dc.contributor.authorKahraman, Ayşegül
dc.contributor.authorYılmaz, Ercan
dc.date.accessioned2021-06-23T18:42:17Z
dc.date.available2021-06-23T18:42:17Z
dc.date.issued2017
dc.departmentBAİBÜ, Rektörlük, Nükleer Radyasyon Dedektörleri Uygulama ve Araştırma Merkezien_US
dc.description.abstractBu çalışmada, RadFET'lerin kapı oksit tabakasına implante edilmiş B+ iyonlarının Vth üzerine etkisi, Silvaco TCAD benzetim programı ile incelenmiştir. 300 nm ve 400 nm kalınlıklarında kapı oksite sahip RadFET'ler, tüm üretim adımları TCAD'e tanıtılarak tasarlanmıştır. İmplantasyon öncesi ve sonrası Vthdeğerleri, RadFET'lerin akım-gerilim (Id-Vg) karakteristiklerinden elde edilmiştir. Artan implantasyon enerjisi, Vth değerlerinin düşmesine neden olmuştur. Vth değerinin sıfır olması, daha geniş ölçülebilir doz aralığına sahip RadFET'lerin üretilmesi için önemlidir. Ancak, implantasyon enerjisindeki sürekli artışla birlikte Vth, p-kanalı oluşumu nedeniyle negatif voltaj değerlerinde gözlenmemiştir. 300 nm-RadFET için en düşük Vth değeri, 6.5×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 72 keV'de, -1.082 V olarak bulunmuştur. 400 nmRadFET için bu değer, 2.3×1011 iyon/cm2 bor dozu ve 106 keV'de, -1.139 V olarak elde edilmiştir.en_US
dc.description.abstractIn this study, the effect of the B+ ions implanted to gate oxide layer of the RadFETs on Vth was investigated by Silvaco TCAD simulation program. The RadFETs with the gate oxide thicknesses of 300 nm and 400 nm were designed by introducing the all of the RadFETs production steps to TCAD. The Vthvalues were obtained from the current-voltage (Id-Vg) characteristics of the RadFETs before and after implantation. Increasing implantation energy caused the reduction of the Vth values. The zero Vth value is important to produce the RadFET with broader measurable dose range. However, Vth was not observed in the negative voltages with continuous increment in the implantation energy due to the p-channel formation. For the 300 nm-RadFET, the lowest Vth value was found as -1.082 V for boron dose with 6.5×1011 ions/cm2 at 72 keV. This value for 400 nm-RadFET was obtained as -1.139 V for boron dose with 2.3×1011 ions/cm2 at 106 keV.en_US
dc.identifier.endpage63en_US
dc.identifier.issn2148-4147
dc.identifier.issn2148-4155
dc.identifier.issue2en_US
dc.identifier.startpage53en_US
dc.identifier.trdizinidTR-DizinIDen_US
dc.identifier.urihttps://app.trdizin.gov.tr/makale/TWpVeU1EQXpNdz09
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12491/3586
dc.identifier.volume22en_US
dc.indekslendigikaynakTR-Dizinen_US
dc.institutionauthorYılmaz, Ercan
dc.language.isotren_US
dc.relation.ispartofUludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisien_US
dc.relation.ispartofUludağ Üniversitesi Mühendislik ve Mimarlık Fakültesi Dergisi
dc.relation.ispartofUludağ University Journal of The Faculty of Engineering
dc.relation.publicationcategoryMakale - Uluslararası Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectRadFETen_US
dc.subjectÜretim Benzetimi
dc.subjectB+ İmplantasyonu
dc.subjectEşik Gerilimi
dc.subjectTCAD
dc.subjectRadFET
dc.subjectProduction Simulation
dc.subjectB+ Implantation
dc.subjectThreshold Voltage
dc.subjectTCAD
dc.titleFarklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesien_US
dc.title.alternativeInvestigation of electrical characterization of RadFETs for different B+ implantation conditions with TCAD simulation programen_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
aysegul-kahraman.pdf
Boyut:
1.06 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam metin / Full text
İndir

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
Nükleer Radyasyon Dedektörleri Uygulama ve Araştırma Merkezi