Yazar "Talay, Yasin" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 4 / 4
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    0.18µm SiGe BiCMOS teknolojisinde 5-Bit 40GS/s zaman ara değerlemeli analog sayısal dönüştürücü tasarımı
    (Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 2017) Talay, Yasin; Aytar, Oktay
    10 GS/s'den daha yüksek örnekleme frekansına sahip Analog-Sayısal dönüştürücüler (A / S dönüştürücüler), yeni nesil yüksek hızlı veri haberleşme sistemleri için oldukça kritik bir öneme sahiptir. Zaman ara değerleme tekniği, A / S dönüştürücünün örnekleme frekansını 10 GS/s'nin üstüne çıkarabilmek için kullanılan en önemli tekniklerden birisidir. Bu teknik birbirine paralel bağlı olan kanalların, örnekleme sinyalinin durumuna göre sırayla çalıştırılması mantığına dayanmaktadır. Zaman ara değerlemeli A / S dönüştürücünün performans kriterlerini belirleyecek en önemli yapılardan birisi analog sinyalin belirli zaman aralıklarında tutulmasını sağlayan İzle-Tut devresi (İ / T devresi), diğeri ise analog sinyalinin nicemlenmesini sağlayan karşılaştırıcı devresidir. Zaman ara değerlemeli A / S dönüştürücünün performansını belirleyen bir diğer önemli etken ise örnekleme sinyallerinin doğru bir şekilde sırasıyla çalışması istenen bloklara dağıtılmasıdır. Örnekleme sinyalleri, istenilen zaman ve sürede hangi kanalın çalışacağına karar verdiği için olası bir hata durumunda, tercih edilen A / S dönüştürücü kanalı verimli ve doğru biçimde çalışmayacaktır. Bu çalışmada, 0.18µm SiGe BiCMOS teknolojisinde 5 bit 40 GS/s zaman ara değerlemeli A / S dönüştürücü tasarlanmıştır. Tasarlanan A / S dönüştürücü 4 kanaldan oluşmaktadır. Her bir kanalda yüksek hızlı paralel tip A / S dönüştürücü kullanılmış olup bu yapının ön ucunda, anahtarlamalı emiter izleyici tipi İ / T devresi kullanılmıştır. Paralel A / S dönüştürücülerin çıkışları ise sayısal kod seçme bloğuna uygulanmaktadır. Sayısal kod seçme bloğu, örnekleme sinyalin durumuna göre kanallardan birinin çıkış bitlerini, sistemin çıkışına uygular. Zaman ara değerlemeli A / S dönüştürücü, Cadence Virtuoso 6.13 programında tasarlanmıştır. Benzetim sonuçları post-layout üzerinden alınmıştır ve detaylı bir şekilde bölümlerde değerlendirilmiştir. ANAHTAR KELİMELER: A / S dönüştürücü, İ / T devresi, SiGe BiCMOS, paralel A / S dönüştürücü, zaman ara değerlemeli A / S dönüştürücü, anahtarlamalı emiter izleyici
  • Küçük Resim
    Öğe
    A 10-GSamples/s track and hold amplifier using reference current source unaffected by temperature in 0.18μm SiGe BiCMOS technology
    (Ieee, 2018) Talay, Yasin; Aytar, Oktay
    This paper presents design and simulation of a track and hold amplifier(THA) and a temperature independent reference current circuit for high speed analog digital converter in 0.18 μm SiGe BiCMOS process BCS180G of HHNEC. The THAs circuit is based on the switched emitter follower topology. Therewithal, the reference current source circuit consists of a proportional to absolute temperature(PTAT) and complementary to absolute temperature(CTAT) circuits. The reference current source unaffected by temperature is working with an accuracy of %0.4 between -45 degrees C and 120 degrees C. Respectively, the power supply voltage of the designed THAs circuits and temperature independent reference current circuit is 5V and 3.3V. The active layout area of designed circuit is 0.02534mm(2)(132 mu m x 192 mu m), consuming 465mW at 10GS/s sampling rate.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    4 Bit Flash Tabanlı Zaman Sayısal Dönüştürücü Tasarımı
    (2019) Talay, Yasin; Aytar, Oktay
    Yapılan bu çalışmada, Tanner Tools Pro devre tasarım programında 0.25?m CMOS model kütüphanesikullanılarak flash tabanlı 4 bit Zaman-Sayısal Dönüştürücü(Z /S)(Time-to-Digital Converter(TDC)) yapısıönerilmiştir. Tasarlanan zaman-sayısal dönüştürücü devresi; zaman geciktirme birimi, karşılaştırıcı, dinamiktutucu, çoğullayıcı devre ve PLA-ROM devre bloklarından oluşmaktadır. Önerilen bu Z/S dönüştürücü tasarımı3.3V besleme gerilimi altında toplam 126.3mW güç harcamaktadır. Tasarlanan Z/S dönüştürücünün çözünürlüğü1.31ns olup, INL değeri (-0.28/0.29)LSB ve DNL değeri (-0.2/+0.6) LSB olarak bulunmuştur.
  • Küçük Resim
    Öğe
    40 GS/s 5 bit time interleaved analog to digital converter in 0.18 mu m SiGe BiCMOS process
    (PLEIADES PUBLISHING INC, 2021) Talay, Yasin; Aytar, Oktay
    This paper presents the transistor-level schematics, layout design considerations, and post-layout simulation of a four-channel 5 bit 40 GS/s BiCMOS Time-Interleaved Analog to Digital Converter (TI-ADC) by using 0.18 mu m SiGe BiCMOS technology library. This proposed structure has been propounded as a solution for systems that require a high sampling rate for the systems such as wireless and high-speed data communication systems, application of the internet of things and instrumentation and measurement systems, etc. The designed TI-ADC consists of Track and Hold Amplifier (THA) based switch-emitter follower which is not affected by temperature variation, 5 bit Flash ADC and 4 x 1 multiplexer circuit. The supply voltage of the THA circuit and the other circuits in the proposed TI-ADC are 5 and 3.3 V, respectively. For the simulation, the analog input of TI-ADC is selected as a ramp-shaped signal with amplitude in a range of 1.60 to 2.60 V. The post-layout simulation results show that, with a 153.8 MHz analog input and 40 GHz sampling rate, the DNL and INL values are measured -0.21 LSB and 0.26 LSB, -0.2 LSB and 0.35 LSB, respectively. The post-simulations indicate that the effective number of bits (ENOB), active chip area and signal-to-noise ratio (SNR) are 4.37 bits, (0.430 x 0.412) mm(2) and 28.01 dB respectively, with a bandwidth of 50 MHz, a sampling frequency of 40 GHz. The total power consumption of TI-ADC is 2.6 W.